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    用于多颗MPCVD单晶金刚石共同生长的桥接控温方法

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    公开号：
    CN112030228A

    公开日：
    2020-12-04

    申请号：
    CN202010953193.8

    申请日：
    2020-09-11

    申请人：
    哈尔滨工业大学

    专利代理机构：
    哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司

    代理人：
    侯静

    年：
    2020

    申请机构：
    哈尔滨工业大学

    主题：
    单晶金刚石:36.6*210.104;MPCVD:34.6*142.482;控温方法:26.4*113.64;横向生长:13.4*79.7133;桥接:46.8*157.597;篇长:5290

    网络分析：